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1. Identificação
Tipo de ReferênciaTese ou Dissertação (Thesis)
Sitemtc-m21b.sid.inpe.br
Código do Detentorisadg {BR SPINPE} ibi 8JMKD3MGPCW/3DT298S
Identificador8JMKD3MGP3W34P/3QJN2T8
Repositóriosid.inpe.br/mtc-m21b/2018/02.21.16.04
Última Atualização2022:06.20.12.11.18 (UTC) sergio
Repositório de Metadadossid.inpe.br/mtc-m21b/2018/02.21.16.04.06
Última Atualização dos Metadados2022:06.20.12.12.37 (UTC) sergio
Chave SecundáriaINPE-4108-TDL/260
Chave de CitaçãoPerondi:1987:InEsIm
TítuloInfluência dos estados de impureza e de condução sobre as propriedades eletrônicas de semicondutores dopados
Título Alternativox
CursoTEC-SPG-INPE-BR
Ano1987
Data1986-02-03
Data de Acesso04 maio 2024
Tipo da TeseDissertação (Mestrado em Eletrônica e Telecomunicações)
Tipo SecundárioTDI
Número de Páginas286
Número de Arquivos1
Tamanho81156 KiB
2. Contextualização
AutorPerondi, Leonel Fernando
BancaLima, Ivan Costa da Cunha (presidente),
Kishore, Ram (orientador),
Tropper, Amós
Senna, José Roberto Sbragia
Fabbri, Maurício
UniversidadeInstituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
CidadeSão José dos Campos
Histórico (UTC)2018-02-21 16:08:12 :: simone -> administrator :: -> 1987
2018-06-04 03:24:55 :: administrator -> simone :: 1987
2019-05-14 19:03:53 :: simone -> administrator :: 1987
2022-03-17 20:29:44 :: administrator -> simone :: 1987
2022-06-20 12:10:45 :: simone -> sergio :: 1987
3. Conteúdo e estrutura
É a matriz ou uma cópia?é a matriz
Estágio do Conteúdoconcluido
Transferível1
Palavras-Chavesemicondutores
propriedades eletrônicas
materiais desordenados
ResumoInvestigam-se diversos modelos para a explicação das propriedades eletrônicas de semicondutores dopados. O trabalho pode, a grosso modo, ser subdividido em três partes principais. Na primeira apresentam-se um amplo material introdutório que abrange uma discussão qualitativa sobre as propriedades eletrônicas de semicondutores dopados, uma descrição do modelo de Mott-Rubbard-Anderson, o formalismo de médias configurações de Matsubara-Toyosawa e a descrição de estados associados a impurezas isoladas. Nesta primeira parte discutem-se ainda diversas questões ligadas à aplicação da aproximação de massa efetiva a sistemas com muitas impurezas, aspectos qualitativos e formais sobre a interação elétron-elétron, bem como resultados obtidos a partir de modelos preliminares. Na segunda parte propõem-se e analisam-se diversos modelos que levam em consideração e hibridização entre estados de impurezas e de condução. Finalmente, na terceira parte apresenta-se e analisa-se um modelo que se utiliza exclusivamente das /Unções de Bloch do material hospedeiro para a descrição dos auto-estados do sistema. O calor especifico e a susceptibilidade de "spin" previstos pelos diversos modelos são comparados com os respectivos resultados experimentais. ABSTRACT: Many models appropriated to the description of the electronic properties of doped semiconductors are investigated. In a rough way, the work can be subdivided into three main parts. In the first one we present an extensive introductory material that comprehends a qualitative discussion about the electronical properties of doped semicondutors, a description of the Mott-Bubbard-Anderson model, the formalism of configUrational averages of Matsubara-Toyosawa and the descríption of the states associated with isolated impurities. In this same part, we stili discuss many questions associated with the application of the effective mass appoximation to systems with many impurities, some qualitative and formal aspects about the electron-electron interaction, as well as some results obtained through preliminary models. In the second part we propose and analyse different models that take into account the hibridization between impurity and conduction states. Finally, in the third part we present and analyse a model basedentirely upon the bloch functions of the host for the description of thé eigenstatesof the system. The specific heat and spin susCeptibility predicted by ali these modele are compared with the corres ponding experimental results.
ÁreaETES
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publicacao.pdf 20/06/2022 09:12 79.3 MiB
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agreement.html 21/02/2018 13:04 1.7 KiB 
TERMO DE DEPOSITO ASSINADO LEONEL FERNANDO PERONDI Mestrado em Eletrônica e Telecomunicações (PR).pdf 20/06/2022 09:11 209.8 KiB 
4. Condições de acesso e uso
URL dos dadoshttp://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34P/3QJN2T8
URL dos dados zipadoshttp://urlib.net/zip/8JMKD3MGP3W34P/3QJN2T8
Idiomapt
Arquivo AlvoINPE-4108.pdf
Grupo de Usuáriossergio
simone
Visibilidadeshown
Licença de Direitos Autoraisurlib.net/www/2012/11.12.15.10
Detentor da CópiaSID/SCD
Permissão de Leituraallow from all
Permissão de Atualizaçãonão transferida
5. Fontes relacionadas
Repositório Espelhosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.22
Unidades Imediatamente Superiores8JMKD3MGPCW/46H7AJ2
DivulgaçãoBNDEPOSITOLEGAL
Acervo Hospedeirosid.inpe.br/mtc-m21b/2013/09.26.14.25.20
6. Notas
Campos Vaziosacademicdepartment affiliation archivingpolicy archivist callnumber contenttype creatorhistory descriptionlevel doi e-mailaddress electronicmailaddress format group isbn issn label lineage mark nextedition notes number orcid parameterlist parentrepositories previousedition previouslowerunit progress readergroup resumeid rightsholder schedulinginformation secondarydate secondarymark session shorttitle sponsor subject tertiarymark tertiarytype url versiontype
7. Controle da descrição
e-Mail (login)sergio
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